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“硅衬底AlGaN基近紫外大功率LED”项目简介

点击次数:121    发布时间:2018-6-13 14:08:48


项目负责人孙钱,2009年获得美国耶鲁大学博士学位,中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任,国家技术发明一等奖获得者,国家优秀青年科学基金获得者,中组部首批国家“青年千人计划”,科技部高新司“第三代半导体材料”项目总体专家组成员。长期从事硅衬底GaN材料生长与LED、激光器、及电力电子器件等制备研究,主持或参与承担了科技部863计划课题、工信部电子信息产业发展基金项目、自然科学重点基金课题、江苏省科技成果转化专项等。本项目拟深入研究低成本硅衬底AlGaN基近紫外大功率LED异质外延生长中的应力调控与缺陷控制、近紫外多量子阱中的应力与缺陷及局域态对内量子效率的影响、以及垂直结构芯片中的电流扩展与取光效率等关键科学问题,通过本项目的实施,可以将硅衬底AlGaN基紫外LED的整套技术通过晶能光电(江西)和江西晶瑞光电快速实现产业化,帮助合作企业进一步完善硅衬底LED产品系列,提升企业产品竞争力和盈利能力,并在三年内实现累计新增3000万元以上的经济销售效益,发表文章四篇,申请发明专利3项。






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